การวิเคราะห์หลักการทำงานของวงจรเรโซแนนซ์ซีรีย์ LC หวู่ฮั่น UHV เชี่ยวชาญในการผลิตของเสียงสะท้อนแบบอนุกรมพร้อมผลิตภัณฑ์ให้เลือกมากมายและการทดสอบทางไฟฟ้าระดับมืออาชีพ เพื่อค้นหาเสียงสะท้อนแบบอนุกรม, เลือกหวู่ฮั่น UHV
1. วงจรการดูดซับเรโซแนนซ์ซีรีย์ LC
หน้าที่ของวงจรดูดซับคือการเอาสัญญาณความถี่หนึ่งออกจากสัญญาณอินพุต วงจรการดูดกลืนแสงประกอบด้วยวงจรเรโซแนนซ์ซีรีส์ LC VT1 ในวงจรประกอบเป็นแอมพลิฟายเออร์สเตจแรก โดยที่ U คือสัญญาณอินพุต และ U คือสัญญาณเอาท์พุตของแอมพลิฟายเออร์นี้ Ll และ Cl สร้างวงจรการดูดกลืนแสงเรโซแนนซ์ซีรีส์ LC โดยมีความถี่เรโซแนนซ์เป็น fo ซึ่งเชื่อมต่อระหว่างขั้วอินพุตของ VT1 และขั้วกราวด์
(1) ความถี่ของสัญญาณอินพุตคือ fo สำหรับสัญญาณที่มีความถี่ fo ในสัญญาณอินพุต เนื่องจากความถี่เรโซแนนซ์เดียวกันกับ Ll และ Cl วงจรอนุกรมของ Ll และ Cl จึงมีอิมพีแดนซ์เล็กน้อย สัญญาณอินพุตที่มีความถี่ 5 จะถูกบายพาสลงกราวด์โดย Ll และ Cl และไม่สามารถเพิ่มเข้ากับฐานของ VT1 ได้ VT1 ไม่สามารถขยายสัญญาณได้ และแน่นอนว่าไม่มีสัญญาณที่มีความถี่ในสัญญาณเอาท์พุต
(2) ความถี่สัญญาณอินพุตสูงหรือต่ำกว่าหิน สำหรับสัญญาณที่มีความถี่สูงหรือต่ำกว่า fo ในสัญญาณอินพุต เนื่องจากความถี่เรโซแนนซ์ที่ไม่เท่ากันกับ Ll และ Cl วงจรอนุกรมของ Ll และ Cl จะถูกดีจูน ส่งผลให้มีอิมพีแดนซ์สูง สัญญาณอินพุตจะไม่ข้ามลงกราวด์โดย Ll และ Cl แต่จะถูกเพิ่มไปที่ฐานของ VT1 ซึ่งขยายโดย VT1 และเอาต์พุต
จากลักษณะการตอบสนองความถี่ของแอมพลิฟายเออร์นี้จะเห็นได้ว่าไม่มีสัญญาณที่มีความถี่อยู่ในสัญญาณเอาท์พุต
2. วงจรเพิ่มความถี่สูงแบบเรโซแนนซ์-
วงจรเพิ่มความถี่สูง-ที่ประกอบด้วยวงจรซีรีย์ LC VT1 ในวงจรจะสร้างเครื่องขยายสัญญาณอีซีแอลร่วมระยะที่หนึ่ง ในขณะที่ Ll และ C4 สร้างวงจรเรโซแนนซ์ซีรีส์ LC เพื่อปรับปรุงสัญญาณความถี่สูง- ความถี่เรโซแนนซ์ของวงจรเรโซแนนซ์อนุกรมของ Ll และ C4 คือ 5 ซึ่งสูงกว่าความถี่สูงสุดของสัญญาณการทำงานของเครื่องขยายเสียงนี้
เนื่องจากอิมพีแดนซ์ต่ำสุดของวงจร Ll และ C4 ระหว่างการเรโซแนนซ์ ความต้านทานป้อนกลับเชิงลบจะลดลงเมื่อเชื่อมต่อแบบขนานกับตัวต้านทานป้อนกลับเชิงลบของตัวปล่อย R4 ส่งผลให้มีแฟกเตอร์การขยายสูงสุดในเวลานี้ ด้วยวิธีนี้ สัญญาณความถี่สูง-ที่ใกล้กับ fo จะได้รับการปรับปรุง และเส้นโค้งการตอบสนองความถี่สูง-ที่ไม่มี Ll และ C4 จะแสดงเป็นเส้นประ ในขณะที่เส้นโค้งการตอบสนองที่มี Ll และ C4 จะแสดงเป็นเส้นทึบ แน่นอนว่าการตอบสนองความถี่สูง-ของเส้นทึบนั้นดีกว่าการตอบสนองของเส้นประ
สำหรับสัญญาณอินพุตที่มีความถี่ต่ำกว่า fo มาก วงจร Ll และ C4 จะไม่ส่งผลต่อสัญญาณดังกล่าว เนื่องจากวงจร Ll และ C4 อยู่ในสถานะ detuned ความต้านทานของพวกมันจึงสูงและความต้านทานป้อนกลับเชิงลบในขณะนี้คือ R4
3. สรุปการวิเคราะห์หลักการทำงานของวงจรเรโซแนนซ์ LC
(1) เชี่ยวชาญคุณลักษณะอิมพีแดนซ์ การทำความเข้าใจคุณลักษณะหลักบางประการของวงจรเรโซแนนซ์ทั้งสองนี้เป็นพื้นฐานสำหรับการวิเคราะห์วงจรการใช้งาน ซึ่งคุณลักษณะที่สำคัญที่สุดคือคุณลักษณะอิมพีแดนซ์ของวงจรเรโซแนนซ์ทั้งสองวงจร เนื่องจากในการวิเคราะห์หลักการทำงานของวงจรต่างๆ การวิเคราะห์วงจรจะขึ้นอยู่กับอิมพีแดนซ์ของวงจรเป็นหลัก เมื่อวงจรเรโซแนนซ์ขนาน LC สะท้อน อิมพีแดนซ์จะสูงที่สุด ในขณะที่วงจรเรโซแนนซ์ซีรีส์ LC จะต่ำที่สุด มันง่ายกว่าที่จะจำให้สอดคล้องกัน
(2) วงจรเรโซแนนซ์ซีรีย์ LC มีอิมพีแดนซ์ขั้นต่ำในระหว่างการเรโซแนนซ์ ข้อควรระวังที่ต้องดำเนินการเมื่อวิเคราะห์วงจรเรโซแนนซ์ซีรีส์ LC จะเหมือนกับวงจรเรโซแนนซ์แบบขนาน ยกเว้นว่าอิมพีแดนซ์ของวงจรจะลดลงให้เหลือน้อยที่สุดระหว่างการสั่นพ้องแบบอนุกรม และเพิ่มให้สูงสุดในระหว่างการเรโซแนนซ์แบบขนาน
สำหรับวงจรเรโซแนนซ์ซีรีส์ LC เมื่อวงจรถูกดีจูน ความต้านทานของวงจรจะมีขนาดใหญ่ ในเวลานี้ สำหรับสัญญาณที่มีความถี่ต่ำกว่าความถี่เรโซแนนซ์ สาเหตุหลักคืออิมพีแดนซ์ความจุของตัวเก็บประจุ Cl มีขนาดใหญ่ สำหรับสัญญาณที่มีความถี่สูงกว่าความถี่เรโซแนนซ์ สาเหตุหลักคืออิมพีแดนซ์ตัวเหนี่ยวนำของตัวเหนี่ยวนำ Ll มีขนาดใหญ่
(3) เมื่อวงจรเรโซแนนซ์ขนาน LC สูญเสียการสั่นพ้อง ความต้านทานจะมีน้อย สำหรับวงจรเรโซแนนซ์ขนาน LC เมื่อวงจรถูกดีจูน อิมพีแดนซ์ของวงจรจะมีค่าน้อยมาก ในเวลานี้ สัญญาณที่มีความถี่ต่ำกว่าความถี่เรโซแนนซ์ส่วนใหญ่จะผ่านสาขา Ll ของตัวเหนี่ยวนำ ในขณะที่สัญญาณที่มีความถี่สูงกว่าความถี่เรโซแนนซ์ส่วนใหญ่จะผ่านสาขา Cl ของตัวเก็บประจุ
(4) ความถี่ของสัญญาณอินพุตแบ่งออกเป็นสองสถานการณ์ เมื่อวิเคราะห์วงจรการใช้งานของวงจรเรโซแนนซ์ LC ทั้งสองนี้ ความถี่ของสัญญาณอินพุตควรแบ่งออกเป็นสองสถานการณ์: การทำงานของวงจรเมื่อความถี่ของสัญญาณอินพุตเท่ากับความถี่เรโซแนนซ์ และการทำงานของวงจรเมื่อความถี่ของสัญญาณอินพุตไม่เท่ากับความถี่เรโซแนนซ์
(5) เอฟเฟกต์ตัวต้านทานการทำให้หมาด ๆ วัตถุประสงค์ของการเพิ่มตัวต้านทานการทำให้หมาด ๆ ในวงจรเรโซแนนซ์แบบขนานคือเพื่อให้ได้แบนด์วิธที่ต้องการ ยิ่งค่าความต้านทานของตัวต้านทานที่เพิ่มเข้ามามีค่าน้อยลง ย่านความถี่ก็จะกว้างขึ้น และในทางกลับกัน
ความถี่ของสัญญาณอินพุตไปยังวงจรเรโซแนนซ์ขนาน LC นั้นกว้างมาก รวมถึงสัญญาณที่มีความถี่เท่ากับความถี่เรโซแนนซ์ด้วย ในบรรดาสัญญาณอินพุตจำนวนมากที่มีความถี่ต่างกัน วงจรจะสะท้อนกับสัญญาณที่ความถี่เรโซแนนซ์เท่านั้น ซึ่ง ณ จุดนี้อิมพีแดนซ์ของวงจรจะอยู่ที่ค่าสูงสุด วงจรเรโซแนนซ์มีแบนด์วิธ ในการวิเคราะห์วงจร ถือได้ว่าสัญญาณภายในย่านความถี่นั้นถูกขยายหรือประมวลผลในลักษณะเดียวกับสัญญาณที่ความถี่เรโซแนนซ์ แต่สำหรับสัญญาณที่มีความถี่เบี่ยงเบนไปจากความถี่เรโซแนนซ์ สิ่งสำคัญคือต้องเข้าใจ ความกว้างของย่านความถี่สัมพันธ์กับขนาดของค่า Q หากค่า Q มีขนาดใหญ่ จะถือว่ายังไม่ได้ขยายหรือประมวลผล ซึ่งเป็นสาเหตุที่การวิเคราะห์วงจรต้องใช้ย่านความถี่แคบ ค่า Q ต่ำและย่านความถี่กว้าง